PM20CVL060-33
Modèle de produit PM20CVL060-33
Fabricant Mitsubishi
La description IGBT Modules
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Référence fabricant PM20CVL060-33 Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant Mitsubishi Electric Semiconductor La description IGBT Modules
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Modèle de Produit

PM20CVL060-33

Introduction

Module IGBT

Marque et Fabricant

Mitsubishi Electric Semiconductor

Caractéristiques

Technologie d'IGBT (Transistor Bipolaire à Grille Isolée) Faible tension de saturation Commutation à haute vitesse Diode libre intégrée

Performance du Produit

Optimisé pour un haut rendement et une commutation rapide Excellente performance thermique Robustesse améliorée sous des conditions de charge élevée

Spécifications Techniques

Configuration : Six-pack Tension collecteur-émetteur : 600 V Courant collecteur : 20 A Dissipation de puissance : 100 W

Dimensions, Forme et Conditionnement

Conception de module compacte Dimensions standardisées pour une intégration facile Emballé pour un transport et une manipulation sécurisés

Qualité et Fiabilité

Processus de contrôle qualité rigoureux Haute fiabilité dans des applications exigeantes Construit pour résister aux tensions environnementales

Avantages du Produit

Efficacité énergétique Forte densité de puissance Interférence électromagnétique réduite

Compétitivité du Produit

Performance de premier plan dans sa catégorie Durabilité et fiabilité élevées offrant un avantage concurrentiel

Compatibilité

Compatible avec des pilotes et circuits de grille standard Polyvalent pour une utilisation dans diverses applications

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes internationales des semiconducteurs

Durée de Vie et Durabilité

Longue durée de vie opérationnelle Conçu pour un impact environnemental minimal durant la fabrication et l'utilisation

Champs d'Application Réels

Systèmes de gestion de l'énergie Convertisseurs d'énergie renouvelable Commandes de moteurs et onduleurs Systèmes de contrôle de véhicules électriques

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